cmp化學機械拋光設備

cmp化學機械拋光設備配備機械手臂1個，可上下卡塞。

配備2個研磨單元，3腔控制。

CMP研磨拋光機配備終點檢測系統(tǒng)，可對每個工藝步驟的工藝參數(shù)進行編輯，按程序對晶片表面薄膜進行平坦化拋光。

cmp化學機械拋光設備設備參數(shù):

【技術應用】

適用材料  主要用于4-8英寸STI、ILD/IMD、TSV、TGV材質的晶圓拋光及SiC、LT、LN、GaAs等化合物材質的晶圓表面拋光。

應用領域   廣泛應用于半導體材料襯底減薄拋光、器件制備、封裝及MEMS等相關領域，例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。

【設備說明】

CMP研磨拋光機是HSM公司研制出的用于4-8英寸STI、ILD/IMD、TSV、TGV材質的晶圓拋光及SiC、LT、LN、GaAs等化合物材質的晶圓表面拋光的高精度研磨拋光機。它具有科學合理的設計及性能，其自動化程度高，操作便捷，方便維護，可靠性強。所有工藝參數(shù)可通過觸摸屏顯示的交互界面進行設置。樣品的襯底粘結、研磨減薄、化學機械拋光以及前后檢測等關鍵工序銜接流暢合理、加工尺寸保持一致。具有多種進出方式，能夠在半導體晶圓、芯片或IC的分層/平面化時提供一致和準確的結果。此外，設備可通過多種類型的拋光盤、漿料和拋光墊在不同數(shù)量的材料中實現(xiàn)可重復的結果。

HSM-CMP系列機臺通過配置不同的硬件及耗材，可實現(xiàn)多種機臺配置及工藝方案以滿足用戶不同材料及尺寸等的多種技術要求。

【拋光頭介紹】

本設備適配的拋光頭均為我司自行研發(fā)設計與生產(chǎn)。其中4寸3腔的拋光頭為我司產(chǎn)品，國內無多腔4寸拋光頭的空白。

我司可根據(jù)用戶產(chǎn)品的特性快速修改或訂制對應拋光頭。如在TGV薄片（200um）產(chǎn)品開發(fā)中，我司修改了對應拋光頭的內部結構，從而滿足用戶對薄片拋光的***終技術要求。再如LN表面OX拋光工藝開發(fā)過程中我司對6寸拋光頭進行深度升級，成功達到了用戶的產(chǎn)品需求。

【系列型號】