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        深圳市矢量科學儀器有限公司

        • 反應性離子刻蝕系統RIE

          PlasmaPro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統,該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻(RIE)工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的...
          型號: PlasmaPro... 所在地:英國 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 8:07:34 對比
        • 反應性離子刻蝕系統RIE

          PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實...
          型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:47:48 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積PECVD

          提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案,LED工業要求高產量,高器件質量和低購置成本。 PlasmaPro 1000更好地解決了這些需求。
          型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:39:32 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積PECVD

          PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快...
          型號: PlasmaPro... 所在地:國外 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:37:08 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積PECVD

          PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 (PECVD) 工藝提供了靈活的解決方案,它采用了緊湊的開放式裝載系統。可...
          型號: PlasmaPro... 所在地:國外 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:35:07 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積PECVD

          設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下,生產均勻性好且沉積速率高的薄膜。PlasmaPro 100 ...
          型號: PlasmaPro... 所在地:國外 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:33:35 對比
        • 電感耦合等離子體化學氣相沉積ICPCVD

          該ICPCVD工藝模塊設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜,通過高密度遠程等離子體實現,從而實現優秀的薄膜質量,同時減少基板損傷。
          型號: PlasmaPro... 所在地:英國 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:29:37 對比
        • 單晶圓刻蝕系統

          憑借在蝕刻GaN,SiC和藍寶石等材料方面的豐富經驗,我們的技術既能夠滿足性價比的要求、又能使器件的性能得到更優化。PlasmaPro 100 Polaris單...
          型號: PlasmaPro... 所在地:英國 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:27:42 對比
        • 電感耦合等離子體刻蝕

          PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝...
          型號: PlasmaPro... 所在地:英國 參考價: 面議 更新時間:2025/6/6 7:25:56 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積

          PlasmaPro 100 Nano用于生長1D / 2D納米材料和異質結構的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活...
          型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 17:20:43 對比
        • 離子束沉積

          離子束沉積產品是因為它們能夠生產具有高質量,致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法,并可在同一設備上實現, 因而提高系統的利用率。...
          型號: Ionfab 30... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 17:17:21 對比
        • 原子層刻蝕

          ALE是一種先進的刻蝕技術,可以針對較淺的微結構進行出色的深度控制。 隨著器件微結構尺寸越來越小,要達到器件的更高性能可以通過ALE技術所具有的精度來實現。在如...
          型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 17:13:14 對比
        • 原子層沉積(ALD)

          FlexAL系統可提供遠程等離子體原子層沉積(ALD),這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。ALD產品家族涵蓋的系列設備可以滿足學術界、...
          型號: FlexAL 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 16:13:14 對比
        • ICPCVD

          PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現...
          型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 16:11:24 對比
        • 深硅刻蝕系統DEEP SI ETCH

          提供深硅蝕刻(DSiE)領域的MEMS,封裝和納米技術的廣泛應用,從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕,不需要更換腔室硬件就可以實現。
          型號: customize... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 7:27:22 對比
        • 離子束刻蝕系統IBE

          離子束刻蝕系統IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項,包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調,以...
          型號: Ionfab 30... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 7:25:11 對比
        • 反應性離子刻蝕系統RIE

          可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝,兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝,電極的適用溫度范圍寬,-150°C至400°C。
          型號: customize... 所在地:深圳市 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 7:21:16 對比
        • 等離子增強化學氣相沉積PECVD

          等離子增強化學氣相沉積PECVD(1) 應用方向:高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途;用于高亮度LED生產的硬掩模...
          型號: customize... 所在地:英國 參考價: 面議 更新時間:2025/6/5 7:19:25 對比

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