目錄:合美半導(dǎo)體（蘇州）有限公司>>研磨拋光設(shè)備>>機(jī)械研磨拋光>> 金剛石研磨拋光機(jī)
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更新時(shí)間：2026-05-26 14:27:13瀏覽次數(shù)：115評(píng)價(jià)
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金剛石研磨拋光機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域：
廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、封裝及MEMS等相關(guān)領(lǐng)域，例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。
金剛石研磨拋光機(jī)技術(shù)應(yīng)用：
適用材料 廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光，主要加工材料包括:氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。
應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、封裝及MEMS等相。
【半導(dǎo)體研磨拋光機(jī)設(shè)備特點(diǎn)】
□ 整機(jī)防腐，適應(yīng)常規(guī)化學(xué)機(jī)械拋光耐腐蝕要求；
□ 樣片去除厚度在線實(shí)時(shí)監(jiān)測，精度1μm；
□ 可實(shí)現(xiàn)端面及角度研磨拋光工藝。
【技術(shù)應(yīng)用】
適用材料 廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光，主要加工材料包括:氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。
【設(shè)備說明】
○ 工藝程序所有控制參數(shù)，均可在顯示屏獨(dú)立顯示；
○ 研磨拋光盤轉(zhuǎn)速可自主設(shè)定，轉(zhuǎn)速范圍0-120rpm；
○ 工作時(shí)間可自主設(shè)定，連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間可達(dá)10個(gè)小時(shí)；
○ 可獨(dú)立顯示并指示實(shí)際工作時(shí)長，在完成既定工藝程序后自動(dòng)關(guān)機(jī)；
○ 研磨工藝轉(zhuǎn)到拋光工藝時(shí)，研磨盤與拋光盤的更換簡捷方便，全系列磨頭及附件均適配；
○ 填料系統(tǒng)自動(dòng)控制，滴料速度可調(diào)；
○ 夾具擺幅及速度可精確控制，且擺幅范圍：0－100；
○ 夾具壓力可調(diào)，可調(diào)范圍可達(dá)7kg；
○ 樣品去除厚度可控，去除量精度1μm；
○ 配有獨(dú)立真空單元，樣片通過真空吸附固定到夾具上面；
○ 可定制固定組件，實(shí)現(xiàn)端面及角度磨拋工藝。
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