目錄:合美半導體(蘇州)有限公司>>研磨拋光設備>>機械研磨拋光>> 化學拋光晶圓精密研磨拋光機
【晶圓精密研磨拋光機技術應用】
適用材料 廣泛應用于化合物半導體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光,主要加工材料包括:氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。
應用領域 廣泛應用于半導體材料襯底減薄拋光、器件制備、封裝及MEMS等相。
【晶圓精密研磨拋光機設備特點】
□ 整機防腐,適應常規化學機械拋光耐腐蝕要求;
□ 樣片去除厚度在線實時監測,精度1μm;
□ 可實現端面及角度研磨拋光工藝。
【技術應用】
○ 適用材料:主要針對碳化硅、氮化鎵、藍寶石、金剛石等硬性材料進行研磨和拋光工藝。
○ 應用領域:選擇不同的工位數量和備件配置,機臺可適應研發及多種規格量產。
【設備說明】
○ 填料系統自動控制,滴料速度可調;
○ 夾具擺幅及速度可精確控制,且擺幅范圍:0-100;
○ 夾具壓力可調,可調范圍可達50kg;
○ 樣品去除厚度可控,去除量精度1μm;
○ 配有獨立真空單元,樣片通過真空吸附固定到夾具上面;
○ 可選配盤溫監控功能,監測精度1℃;
○ 整機全防腐處理,可通過觸摸屏交互界面設置工藝參數,系統可儲存多達200條工藝菜單;
○ 自動化程度高,整機操作便捷,運行穩定,維護方便,可靠性強;
○ 可通過配置不同的硬件及耗材,實現多種配置及工藝方案以滿足用戶對不同材料及尺寸等的多種技術要求;
○ 研磨拋光盤轉速可自主設定,轉速范圍為0-200rpm;
○ 工作時間可自主設定,連續運轉時間可達10個小時;
○ 可獨立顯示并指示實際工作時長,在完成既定工藝程序后自動關機。